Отражающий оптический датчик с транзисторным выходом — CNY 70

Отражающий оптический датчик с транзисторным выходом CNY70
Share

Описание

CNY70 — это уникальный отражающий датчик, предназначенный для высококачественного обнаружения объектов в различных приложениях. Вот несколько особенностей, которые делают CNY70 уникальным:

  1. Прецизионная система обнаружения: Датчик CNY70 оснащен инфракрасным излучателем и фототранзистором, обеспечивающими высокую точность и надежность обнаружения объектов. Это позволяет использовать датчик в широком спектре условий, включая различные поверхности, цвета и формы объектов.
  2. Освинцованный корпус с блокировкой видимого света: Уникальный освинцованный корпус датчика CNY70 блокирует видимый свет, что позволяет минимизировать влияние внешних источников света и повысить точность обнаружения. Это делает датчик идеальным выбором для применений, где окружающее освещение может варьироваться или быть сильным.
  3. Гибкость в установке и интеграции: Датчик CNY70 имеет компактные размеры и легко устанавливается на различных поверхностях или в системах автоматизации. Его удобная форма позволяет интегрировать датчик в различные устройства, что обеспечивает гибкость и универсальность использования.
  4. Высокая надежность и долговечность: CNY70 разработан с акцентом на надежность и долговечность. Он предлагает стабильную и надежную работу даже в самых требовательных промышленных средах. Это обеспечивает долгий срок службы датчика и снижает необходимость в обслуживании и замене.
  5. Вариативность в применении: Датчик CNY70 может использоваться во многих различных отраслях и приложениях. Он идеально подходит для робототехники, автоматического управления, измерительных систем и других сфер, где требуется высокая точность обнаружения объектов.

Благодаря своим уникальным характеристикам, датчик CNY70 становится незаменимым инструментом для точного и надежного обнаружения объектов в различных условиях работы.

оптический датчик с транзисторным выходом CNY 70

Преимущества

  1. Свинцовая упаковка: Датчик CNY70 имеет свинцовую упаковку, которая обеспечивает прочность и защиту компонентов внутри корпуса. Это обеспечивает долговечность и надежность датчика в различных условиях эксплуатации.
  2. Фототранзисторный детектор: CNY70 оснащен фототранзисторным детектором, который обеспечивает высокую чувствительность и точность обнаружения. Фототранзистор преобразует световой сигнал в электрический, позволяя достоверно определить наличие или отсутствие объекта.
  3. Компактные размеры: Размеры датчика CNY70 (7 х 7 х 6 мм) позволяют легко интегрировать его в ограниченные пространства и установить на малых поверхностях. Это обеспечивает гибкость в размещении и использовании датчика.
  4. Малое рабочее расстояние: Пиковое рабочее расстояние датчика CNY70 составляет менее 0,5 мм. Это означает, что датчик может обнаруживать объекты на очень близком расстоянии, что является важным для приложений, требующих высокой точности и малого зазора.
  5. Широкий рабочий диапазон: Датчик CNY70 имеет рабочий диапазон от 0 до 5 мм, в пределах которого достигается более 20% относительного тока коллектора. Это обеспечивает гибкость в настройке и применении датчика в различных условиях и требованиях приложений.
  6. Фильтр блокировки дневного света: CNY70 оснащен фильтром, который блокирует дневной свет и позволяет более точно обнаруживать объекты без влияния внешнего освещения.
  7. Бессвинцовая (Pb) пайка: Важным аспектом датчика CNY70 является его бессвинцовая пайка. Это означает, что при производстве датчика не используется свинец, что делает его более экологически безопасным и соответствующим требованиям экологической стандартизации.
АБСОЛЮТНЫЕ МАКСИМАЛЬНЫЕ ЗНАЧЕНИЯ(Tamb= 25 °C, если не указано иное)
ПАРАМЕТРУСЛОВИЯ ИСПЫТАНИЯСИМВОЛМинимумТип.МаксимумЕД. ИЗМ
Ток коллектораVCE = 5 V, IF = 20 mA, d = 0.3 mm (figure 1)Ic0.31.0mA
Ток перекрестных помехVCE = 5 V, IF = 20 mA, (figure 2)Icx600nA
Насыщение коллектор-эмиттер НапряжениеIF = 20 mA, IC = 0.1 mA, d = 0.3 mm (figure 1)VCEsat0.3V
Прямое напряжениеIF = 50 mAVf1.251.6V
Интенсивность излученияIF = 50 mA, tp = 20 msIe7.5mW/sr
Пиковая длина волныIF = 100 mAλP940nm
Виртуальный диаметр источникаМетод: 63 % энергии в окруженииd1.2mm

Выход

Напряжение коллектор-эмиттерIc = 1 mAVCEO32V
Эммитер-коллектор напряжениеIe = 100 μAVECO5V
Коллектор темнового токаVCE = 20 V, IF = 0 A, E = 0 lxICEO200nA

Примечание:

1) Измерено с помощью «нейтральной тестовой карты Kodak», белая сторона с коэффициентом диффузного отражения 90 %.
2) Измерено без отражающей среды.

Абсолютные максимальные значения

Рассеиваемая мощность в зависимости от температуры окружающей среды
Рассеиваемая мощность в зависимости от температуры окружающей среды.
Условия испытаний
Условия испытаний.

Размеры датчика

Размеры датчика в мм.
Размеры датчика в мм.
Размеры датчика в мм.

Скачать документацию.

RU

ENG

  • 25.09.2022