Датчики / Отражающий оптический датчик с транзисторным выходом — CNY 70
Отражающий оптический датчик с транзисторным выходом — CNY 70
Описание
CNY70 — это уникальный отражающий датчик, предназначенный для высококачественного обнаружения объектов в различных приложениях. Вот несколько особенностей, которые делают CNY70 уникальным:
- Прецизионная система обнаружения: Датчик CNY70 оснащен инфракрасным излучателем и фототранзистором, обеспечивающими высокую точность и надежность обнаружения объектов. Это позволяет использовать датчик в широком спектре условий, включая различные поверхности, цвета и формы объектов.
- Освинцованный корпус с блокировкой видимого света: Уникальный освинцованный корпус датчика CNY70 блокирует видимый свет, что позволяет минимизировать влияние внешних источников света и повысить точность обнаружения. Это делает датчик идеальным выбором для применений, где окружающее освещение может варьироваться или быть сильным.
- Гибкость в установке и интеграции: Датчик CNY70 имеет компактные размеры и легко устанавливается на различных поверхностях или в системах автоматизации. Его удобная форма позволяет интегрировать датчик в различные устройства, что обеспечивает гибкость и универсальность использования.
- Высокая надежность и долговечность: CNY70 разработан с акцентом на надежность и долговечность. Он предлагает стабильную и надежную работу даже в самых требовательных промышленных средах. Это обеспечивает долгий срок службы датчика и снижает необходимость в обслуживании и замене.
- Вариативность в применении: Датчик CNY70 может использоваться во многих различных отраслях и приложениях. Он идеально подходит для робототехники, автоматического управления, измерительных систем и других сфер, где требуется высокая точность обнаружения объектов.
Благодаря своим уникальным характеристикам, датчик CNY70 становится незаменимым инструментом для точного и надежного обнаружения объектов в различных условиях работы.
Преимущества
- Свинцовая упаковка: Датчик CNY70 имеет свинцовую упаковку, которая обеспечивает прочность и защиту компонентов внутри корпуса. Это обеспечивает долговечность и надежность датчика в различных условиях эксплуатации.
- Фототранзисторный детектор: CNY70 оснащен фототранзисторным детектором, который обеспечивает высокую чувствительность и точность обнаружения. Фототранзистор преобразует световой сигнал в электрический, позволяя достоверно определить наличие или отсутствие объекта.
- Компактные размеры: Размеры датчика CNY70 (7 х 7 х 6 мм) позволяют легко интегрировать его в ограниченные пространства и установить на малых поверхностях. Это обеспечивает гибкость в размещении и использовании датчика.
- Малое рабочее расстояние: Пиковое рабочее расстояние датчика CNY70 составляет менее 0,5 мм. Это означает, что датчик может обнаруживать объекты на очень близком расстоянии, что является важным для приложений, требующих высокой точности и малого зазора.
- Широкий рабочий диапазон: Датчик CNY70 имеет рабочий диапазон от 0 до 5 мм, в пределах которого достигается более 20% относительного тока коллектора. Это обеспечивает гибкость в настройке и применении датчика в различных условиях и требованиях приложений.
- Фильтр блокировки дневного света: CNY70 оснащен фильтром, который блокирует дневной свет и позволяет более точно обнаруживать объекты без влияния внешнего освещения.
- Бессвинцовая (Pb) пайка: Важным аспектом датчика CNY70 является его бессвинцовая пайка. Это означает, что при производстве датчика не используется свинец, что делает его более экологически безопасным и соответствующим требованиям экологической стандартизации.
| АБСОЛЮТНЫЕ МАКСИМАЛЬНЫЕ ЗНАЧЕНИЯ(Tamb= 25 °C, если не указано иное) |
| ПАРАМЕТР | УСЛОВИЯ ИСПЫТАНИЯ | СИМВОЛ | Минимум | Тип. | Максимум | ЕД. ИЗМ |
| Ток коллектора | VCE = 5 V, IF = 20 mA, d = 0.3 mm (figure 1) | Ic | 0.3 | 1.0 | mA | |
| Ток перекрестных помех | VCE = 5 V, IF = 20 mA, (figure 2) | Icx | 600 | nA | ||
| Насыщение коллектор-эмиттер Напряжение | IF = 20 mA, IC = 0.1 mA, d = 0.3 mm (figure 1) | VCEsat | 0.3 | V | ||
| Прямое напряжение | IF = 50 mA | Vf | 1.25 | 1.6 | V | |
| Интенсивность излучения | IF = 50 mA, tp = 20 ms | Ie | 7.5 | mW/sr | ||
| Пиковая длина волны | IF = 100 mA | λP | 940 | nm | ||
| Виртуальный диаметр источника | Метод: 63 % энергии в окружении | d | 1.2 | mm |
Выход
| Напряжение коллектор-эмиттер | Ic = 1 mA | VCEO | 32 | V | ||
| Эммитер-коллектор напряжение | Ie = 100 μA | VECO | 5 | V | ||
| Коллектор темнового тока | VCE = 20 V, IF = 0 A, E = 0 lx | ICEO | 200 | nA |
Примечание:
1) Измерено с помощью «нейтральной тестовой карты Kodak», белая сторона с коэффициентом диффузного отражения 90 %. 2) Измерено без отражающей среды.
Абсолютные максимальные значения
Размеры датчика
Скачать документацию.
RU
ENG
