Структура вещества примесных полупроводников, P-N переход его структура и ВАХ

P-N переход
Поделится:

Структура

Химические вещества могут быть в трех основных фазах: твердой, жидкой и газообразной. Когда молекулы находятся в твердой фазе, они не могут двигаться, кроме своего среднего положения, что называется тепловым движением. Молекул в жидкой и газообразной фазах могут свободно перемещаться. Некоторые вещества имеют кристаллические структуры, в которых атомы объединены в определенную решетку, которая сохраняется на протяжении всего объема кристалла.

Электрическая проводимость твердых веществ необходима для производства многих электронных устройств. Эта способность зависит от способности материала производить свободные электроны. Структура кристаллических решеток веществ, таких как германий и кремний, напоминает структуру алмаза. Кремний и германий имеют хорошие диэлектрические свойства благодаря своей кристаллической решетке и сильной связи электронов.

Модель кристалла германия

Модель кристаллической структуры германия представляет собой описание, как атомы германия организованы в кристалле. Германий образует кристаллическую решетку, которая может быть описана следующим образом:

  1. Брусчатая кристаллическая решетка: Германий обычно образует брусчатую (или кубическую) кристаллическую решетку. В этой решетке каждый атом германия находится в угловых точках кубической ячейки и в центре куба.
  2. Координация атомов: Каждый атом германия имеет четыре ближайших соседа. Это означает, что каждый атом германия связан с четырьмя соседними атомами других германиевых атомов.
  3. Ордер (порядок): Благодаря регулярному упорядочению атомов в кристаллической решетке, германий имеет хорошо определенную структуру.
  4. Кристаллическая система: Брусчатая кристаллическая решетка германия относится к кристаллической системе типа «кактус» (cubic).
  5. Тетраэдральные углы: Атомы германия в кристаллической решетке образуют тетраэдры вокруг каждого атома. Это также важная черта структуры германия.
Модель кристалл о германия

Состояния вещества

Рассмотрим более подробно различные фазы вещества и их связь с электронными свойствами твердых материалов:

  1. Твердая фаза: В твердой фазе атомы или молекулы вещества плотно упакованы и находятся в фиксированных положениях в кристаллической решетке. Они могут только совершать колебания около своего равновесного положения. Эти колебания интерпретируются как тепловое движение, и оно влияет на теплоемкость твердых материалов.
  2. Жидкая фаза: В жидкой фазе атомы или молекулы вещества более подвижны, чем в твердой фазе. Они могут свободно двигаться друг относительно друга, сохраняя близкие контакты. Это обеспечивает текучесть жидкостей. В этой фазе тепловое движение более интенсивное.
  3. Газообразная фаза: В газообразной фазе молекулы вещества обладают большой энергией и практически не связаны друг с другом. Они свободно двигаются и занимают все доступное пространство. В газах тепловое движение доминирует.

Связь между фазами вещества и его электронными свойствами заключается в том, как атомы или молекулы взаимодействуют между собой в каждой фазе:

  • В твердых материалах кристаллическая решетка ограничивает движение электронов, и это может влиять на их проводимость. Многие полупроводники, такие как кремний, образуют кристаллические структуры, где электроны могут свободно передвигаться при предоставлении энергии.
  • В жидких и газообразных фазах молекулы более свободно двигаются, и электроны могут легко перемещаться, обеспечивая проводимость.

Примесные полупроводники

Кремний и германий проявляют свойства диэлектриков в чистом виде, что означает, что они плохо проводят электричество. Тем не менее, при добавлении небольшого количества примесей эти материалы обладают уникальными свойствами, которые существенно изменяются. В полупроводниковой индустрии, где используются кремния и германия, этот процесс, называемый допированием, имеет решающее значение.

Модель полупроводника n-типа

Полупроводники n-типа — это особый класс полупроводников, которые обладают свободными электронами и проводят электрический ток в результате процесса допирования. Допирование заключается во введении атомов примесей, имеющих лишние электроны, в структуру полупроводника. Эти лишние электроны становятся свободными и могут перемещаться под воздействием электрического поля.

Основные характеристики полупроводников n-типа:

  1. Допирование: Допирование — это процесс внесения атомов примесей, которые обеспечивают наличие лишних электронов, в структуру полупроводника.
  2. Свободные электроны: Атомы примесей вносят свободные электроны, которые могут двигаться под воздействием электрического поля. Эти свободные электроны являются основными носителями заряда в полупроводниках n-типа и делают материал проводящим.
  3. Тип проводимости: Полупроводники n-типа имеют негативный тип проводимости, их электроны движутся в сторону положительного направления электрического поля.
  4. Характеристики: Проводимость полупроводников n-типа увеличивается с ростом температуры и концентрации допирующих атомов.

Полупроводники n-типа широко используются в электронике для создания многих различных устройств, таких как диоды, транзисторы и солнечные батареи. Например, транзисторы n-типа используются в усилителях сигнала, микропроцессорах и множестве других устройств, которые используют сигналы для усиления и коммутации.

Структура полупроводников n-типа

Структура полупроводников n-типа определяется допированием определенными атомами примесей, обеспечивающими наличие свободных электронов. Внесенные атомы примесей замещают атомы в кристаллической решетке полупроводника. Эти атомы примесей имеют на внешней орбите лишние электроны, которые становятся свободными и могут участвовать в проводимости материала.

Структура полупроводника n-типа включает в себя следующие ключевые элементы:

  1. Кристаллическая Решетка: Полупроводники имеют кристаллическую структуру, в которой атомы упорядочены в регулярной решетке.
  2. Атомы Примесей: В структуру полупроводника вводятся атомы примесей, такие как фосфор или антимон. Эти атомы замещают некоторые из атомов базового материала полупроводника (например, кремния).
  3. Свободные Электроны: Атомы примесей вносят лишние электроны в структуру. Эти свободные электроны становятся основными носителями заряда и способствуют проводимости полупроводника.
  4. Электрическое Поле: Под действием внешнего электрического поля свободные электроны начинают двигаться в направлении положительного поля, что обеспечивает проводимость полупроводника.
Модель полупроводника n-типа

Модель полупроводника p-типа

Полупроводники P-типа — это особый класс полупроводников, в которых доминируют положительные носители заряда, так называемые «дырки». Дырки возникают из-за допирования полупроводника атомами примесей с лишними электронами, которые создают пустые места в валентной зоне.

Основные характеристики полупроводников P-типа:

  1. Допирование: Полупроводники P-типа создаются путем допирования материала атомами примесей, которые обладают акцепторными свойствами. Эти атомы замещают атомы в кристаллической решетке полупроводника, создавая так называемые «акцепторные уровни энергии.» Примерами акцепторных атомов могут служить бор (B) или алюминий (Al).
  2. Положительные носители заряда: Акцепторные атомы создают «дырки» в валентной зоне полупроводника, где обычно находятся электроны. Дырки являются положительными носителями заряда и движутся в направлении положительного электрического поля.
  3. Тип проводимости: Полупроводники P-типа имеют положительный тип проводимости, так как положительные дырки двигаются в направлении отрицательного электрического поля.
  4. Проводимость: Полупроводники P-типа обладают низкой проводимостью в отсутствие внешнего воздействия. Однако проводимость увеличивается при наличии дырок и под воздействием внешних факторов, таких как температура и напряжение.
  5. Температурная зависимость: Проводимость полупроводников P-типа обычно увеличивается с повышением температуры, так как при более высокой температуре дырки получают больше энергии и могут двигаться легче.

Полупроводники P-типа используются в электронных устройствах, таких как биполярные транзисторы, диоды и интегральные схемы. Эти устройства позволяют управлять электрическим током и выполнять различные функции в современной электронике.

Структура полупроводников p-типа

Структура полупроводника P-типа обусловлена процессом допирования атомами примесей с акцепторными свойствами. Этот процесс вносит изменения в кристаллическую решетку полупроводника, создавая дырки, которые являются основными положительными носителями заряда в таких материалах.

Структура полупроводника p-типа включает в себя следующие ключевые элементы:

  1. Кристаллическая решетка: Полупроводники P-типа, как и другие полупроводники, имеют кристаллическую структуру, в которой атомы упорядочены в определенном порядке. Примерами материалов, используемых для полупроводников P-типа, являются кремний (Si), германий (Ge) и соединения, такие как GaAs (галлиевый арсенид).
  2. Акцепторные атомы примесей: Для создания полупроводника P-типа в материал вводят акцепторные атомы примесей. Эти атомы имеют больше электронов в своей валентной зоне по сравнению с атомами материала. Примером акцепторной атомной примеси может быть бор.
  3. Дырки в валентной зоне: Акцепторные атомы примесей замещают атомы материала в кристаллической решетке. Поскольку акцепторы имеют больше электронов, чем материал, они создают «дырки» в валентной зоне, где вместо электронов остаются положительные носители заряда, называемые дырками. Дырки являются основными положительными носителями заряда в полупроводнике P-типа.
  4. Электрическая проводимость: При наличии дырок полупроводник P-типа становится способным проводить электрический ток. Дырки могут двигаться внутри материала под воздействием электрического поля и участвовать в проводимости.
  5. Поверхности и контакты: Для создания полупроводниковых устройств, таких как диоды и транзисторы, требуется создать контакты к полупроводнику P-типа. Это обычно делается путем наложения металлических электродов на поверхность полупроводника, что позволяет управлять и мониторить поток электрического тока.
Модель полупроводника р-тина

Основные и неосновные носители заряда

Основные и неосновные носители заряда — это два типа заряженных частиц, которые существуют в полупроводниках и могут участвовать в проводимости. В зависимости от конкретных условий и характеристик материала, один из них может доминировать.

Важно отметить, что тип и состав полупроводника, температура, применяемое напряжение и другие факторы влияют на доминирование оcновных или неосновных носителей. Проектирование и анализ полупроводниковых устройств зависят от понимания функций и взаимодействия основных и неосновных носителей заряда.

Основные носители заряда

Основные носители заряда — это заряженные частицы, которые образуются в полупроводнике благодаря допированию или внесению атомов примесей. В полупроводниках P-типа это дырки (положительно заряженные) и электроны (отрицательно заряженные) в полупроводниках N-типа. Основные носители заряда обладают высокой подвижностью и способны перемещаться под воздействием электрического поля. Они играют ключевую роль в проведении электрического тока в полупроводнике.

Неосновные носители заряда

Неосновные носители заряда — это заряженные частицы, которые возникают в полупроводнике благодаря тепловому возбуждению. Эти частицы могут быть как дополнительными электронами (в случае полупроводников P-типа) или дополнительными дырками (в случае полупроводников N-типа), образованными при переходе электронов в зону проводимости под воздействием тепла. Неосновные носители обычно имеют низкую подвижность и обычно не являются ключевыми участниками в проведении тока. Однако при повышенных температурах или других возмущениях они могут внести вклад в проводимость полупроводника.

P-N Переход

P-N переход — это граница между двумя разными типами полупроводников: P-типа (позитивного) и N-типа (негативного). P-тип полупроводника характеризуется преимущественным присутствием дырок (положительно заряженных «дырок» в электронной структуре), а N-тип — преимущественно электронами (отрицательно заряженными).

Основной принцип работы P-N перехода заключается в том, что он создает барьер для движения большинства носителей заряда через него, но при прямом смещении этот барьер преодолевается, позволяя току протекать.

p-n-переход

Структура P-N перехода

Структура P-N перехода состоит из двух разных типов полупроводников, P-типа (позитивного) и N-типа (негативного), которые объединены в едином кристалле. Этот P-N переход образуется в результате процесса допирования, при котором атомы примесей вводятся в полупроводник, меняя его химический состав и создавая разные области внутри одного кристалла. Рассмотрим более подробно структуру P-N перехода:

  1. P-сторона (позитивная сторона):
    • В P-стороне полупроводника преобладают дырки как основные носители заряда. Дырки — это положительно заряженные «пустоты» в электронной структуре, оставленные отсутствием электронов в валентной зоне.
    • P-сторону обычно создают путем допирования полупроводника атомами, которые обладают меньшим количеством валентных электронов, чем атомы базового материала. Эти атомы называются акцепторами.
  2. N-сторона (негативная сторона):
    • В N-стороне полупроводника преобладают свободные электроны как основные носители заряда. Свободные электроны имеют отрицательный заряд.
    • N-сторону обычно создают путем допирования полупроводника атомами, которые обладают большим количеством валентных электронов, чем атомы базового материала. Эти атомы называются донорами.
  3. P-N граница:
    • P-N переход формируется именно там, где P- и N-стороны соединяются. Эта граница — это место, где происходит важное явление рекомбинации. Рекомбинация представляет собой процесс, в котором свободные электроны из N-стороны рекомбинируют с дырками из P-стороны, создавая нейтральные атомы и уменьшая концентрацию основных носителей заряда в этой области.
  4. Диффузионный слой:
    • Вблизи P-N границы может существовать диффузионный слой, где концентрации носителей заряда быстро изменяются. Этот слой играет важную роль в функционировании P-N перехода.
  5. Область разорванного джункциона (разорванной границы):
    • Внутри P-N перехода есть область разорванного джункциона, где концентрации основных носителей заряда резко изменяются. Эта область является ключевой для работы P-N перехода, так как она создает барьер для движения основных носителей заряда в прямом смещении и предотвращает их движение в обратном смещении.

При прямом смещении P-N переxод становится проводящим, и дырки и электроны, основные носители заряда, могут пересекать его, что позволяет току проходить. Барьер рекомбинации увеличивается, что препятствует току, и переход P-N становится непроводящим. Благодаря этому переход P-N идеально подходит для регулирования и выпрямления тока в электронных устройствах.

P-N Переход в качестве выпрямителя

P-N переход может использоваться как выпрямитель в электронных схемах. Рассмотрим его работу при прямом и обратном смещении:

Прямое смещение (Forward Bias)

P-N Переход в качестве выпрямителя прямое смещение (Forward Bias)
  1. При прямом смещении к P-стороне (аноду) подается положительное напряжение, а к N-стороне (катоду) — отрицательное напряжение.
  2. Это прямое смещение уменьшает барьер потенциала на границе P-N перехода, что позволяет основным носителям заряда (дыркам в P-стороне и электронам в N-стороне) двигаться к переходу.
  3. Дырки и электроны могут рекомбинировать вблизи P-N границы, и ток может свободно протекать через переход.
  4. P-N переход в режиме прямого смещения имеет низкое сопротивление и позволяет току легко проходить через себя, выпрямляя переменный ток в постоянный ток. Такой режим работы делает P-N переход хорошим выпрямителем.

Обратное смещение (Reverse Bias)

P-N Переход в качестве выпрямителя обратное смещение (Reverse Bias)
  1. При обратном смещении к P-стороне (аноду) подается отрицательное напряжение, а к N-стороне (катоду) — положительное напряжение.
  2. Это обратное смещение увеличивает барьер потенциала на границе P-N перехода, что делает его более непроницаемым для основных носителей заряда. Барьер предотвращает движение дырок и электронов через переход.
  3. При обратном смещении P-N переход обычно не проводит ток, за исключением небольшого тока утечки, который вызван минимальной концентрацией неосновных носителей заряда.

Вольт амперная характеристика P-N перехода

Вольт-амперная характеристика (ВАХ) P-N перехода представляет собой график зависимости тока через переход от напряжения, приложенного к нему. ВАХ позволяет оценить, как P-N переход ведет себя при различных режимах работы: прямом смещении и обратном смещении.

Вольт амперная характеристика P-N перехода

Прямое смещение (Forward Bias)

  • В начале графика, при нулевом напряжении (или низком напряжении), ток через P-N переход близок к нулю. Это происходит из-за барьера потенциала на P-N границе, который препятствует движению основных носителей заряда через переход.
  • При увеличении напряжения в области прямого смещения (напряжение становится положительным на аноде и отрицательным на катоде), барьер потенциала уменьшается, и ток начинает расти. Эта область называется «областью насыщения».
  • Далее, при дальнейшем увеличении напряжения, ток растет более линейно, и это соответствует «линейной области».
  • В конечном итоге, при высоких напряжениях, ток почти перестает расти, и ВАХ становится горизонтальной. В этой области P-N переход ведет себя как проводник с низким сопротивлением.

Обратное смещение (Reverse Bias)

  • При обратном смещении (когда катод подключен к положительному напряжению, а анод к отрицательному), ток через P-N переход обычно остается очень низким (почти нулевым) при нулевом напряжении и начинает медленно увеличиваться при дальнейшем увеличении обратного напряжения.
  • Обратное смещение создает барьер потенциала, который затрудняет движение основных носителей заряда в обратном направлении. Таким образом, при обратном смещении P-N переход остается непроводящим или проводит лишь очень небольшой ток утечки.

Следует отметить, что характеристики ВАХ могут различаться в зависимости от различных параметров P-N перехода. Эти параметры включают такие факторы, как типы материалов, концентрацию примесей и размеры перехода. ВАХ P-N перехода имеет решающее значение для понимания его работы в различных режимах и для использования его в электронных устройствах, таких как выпрямители, транзисторы и диоды.

  • 15.10.2023